在全球争夺AI基础设施产能背景下
，越来越多存储芯片品类开始面临紧俏行情，产能转移造成的供需缺口正在持续放大。

在三星、铠侠 、美光等国际大厂集体退出MLC（Multi-Level Cell
，多层单元） NAND闪存市场的背景下，这一曾经不起眼的“老兵” ，产品价格近期暴涨300% 。由此造成的供应缺口
，正对汽车电子
、工业控制、医疗设备等产业造成潜在影响
。

NAND行业的发展规律是通过纵向堆叠来进行扩容，MLC正如其名 ，一般采用二维平面堆叠方式
，也就是2D NAND。目前行业主流已经迭代到TLC（Triple-Level Cell，三层单元）和QLC（Quad-Level Cell ，四层单元）阶段
，也就是进入3D NAND维度 。

因此不难发现，上游存储供应商决定将MLC逐渐停产 ，有基于产品自身迭代的因素考量，也有将更多产能留给利润空间更高的产品的考虑
。随着海外大厂陆续停产
，也为国内产业链厂商带来一定发展机会。

涨价传导，供应断层

上游存储原厂在整体产能有限条件下 ，正退出一些薄利市场
，MLC NAND就在此之列 。

近期，Kioxia（铠侠）宣布停产部分旧制程产品 ，其中小容量TSOP封装产品 、部分传统浮栅式（Floating Gate）2D NAND以及第三代BiCS FLASH产品将逐步退出市场
。

TSOP封装主要用于低容量MLC NAND Flash存储器
，有观点认为，此次铠侠宣布停产 ，意味着其或将退出该市场。

对此
，铠侠中国区董事长兼总裁岡本成之近日回应道，这是基于新旧技术更替的考虑 ，也是行业普遍现象 。

不止铠侠
，此前三星
、SK海力士和美光，也陆续宣布 ，MLC相关产品进入生命周期终结阶段，相关产线不再扩产
。

据研究机构TrendForce集邦咨询调查
，SK海力士和美光基本将MLC产量限制在满足现有客户需求的水平，缺乏扩产动力。因此 ，2026年全球MLC NAND闪存产能预计将同比下降41.7%
，进一步加剧供需失衡 。

一名存储行业从业者也向21世纪经济报道记者分析，产业链上游的存储原厂在技术迭代和利润目标驱动下 ，根据生命周期管理需要
，对落后制程的产品进行淘汰，是行业性正常的产品开发行为。同时 ，将优质产能集中于企业级等高附加值领域也是普遍趋势
。

在产能极为有限的背景下
，MLC NAND这类“高龄 ”产品的价格反而开始大幅上扬。

CFM闪存市场分析师杨伊婷告诉21世纪经济报道记者，消费类MLC eMMC原厂供应基本已经停止 ，三星车规级MLC明年一季度停止供应
，使得现货市场MLC eMMC价格涨幅剧烈，8GB eMMC最高出现110美元的极端价格 。

Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi也对21世纪经济报道记者指出 ，其月度存储追踪数据（Monthly Memory Tracker）显示，MLC NAND价格同比上涨约300%
。以16Gb MLC NAND为例
，价格从2025年一季度的约3.2美元上涨至预计2026年二季度的约12.9美元。

“这一轮价格上涨主要由MLC产品持续退市（EOL）所引发的供需失衡推动 。
”Jeongku Choi进一步指出，当前MLC NAND价格快速上涨的核心原因在于退市节奏明显加快
。“从过去情况来看 ，EOL通常会在数年时间内逐步完成
，但本轮MLC NAND的退出周期被压缩至约一年内完成。同时，AI需求快速增长推动产能向服务器相关产品倾斜 ，进一步加剧了MLC供应紧张 。”

MLC NAND的终端需求主要来自工控、车用电子 、医疗设备和网通等领域
，这些应用对产品可靠度
、写入寿命、长期供货承诺要求极为严格
。其中，汽车行业受影响最为明显。

杨伊婷对21世纪经济报道记者指出 ，车规级MLC eMMC应用主要在T-BOX 、仪表
、HUD、中低端座舱等领域 。“一般使用MLC的地方对性能容量要求低
，基本不需要用到大容量UFS，够用即可
。而车规级芯片和模块验证周期很长 ，且车规级零部件量产生命周期至少在3—5年
，汽车以年为单位与原厂谈年价和供应，对AI存储供需的即时变化并不敏感 ，此前一度低估了存储供应短缺的严重程度，以及原厂停止MLC产线集中产能做高价值服务器存储的决心
，使得汽车在存储涨价 、缺货中受到的冲击最为明显。 ”

国产补位，商用转移

面对MLC供应断层 ，部分具备承接能力的厂商已开始行动 。

TrendForce集邦咨询表示
，因为MLC NAND Flash长期供货的供应体系出现断层，长期聚焦嵌入式与高可靠度存储器市场的旺宏 ，相对具备承接这项利基型需求的优势。旺宏已减少原有NOR Flash产能
，以扩大MLC NAND Flash供应
。

Jeongku Choi则对记者指出，当前2D NAND供给缺口较难完全填补。“国内厂商中 ，长江存储（YMTC）具备相对最大的可用产能
，但其同样将优先满足服务器端对TLC与QLC产品的需求，以抓住AI带来的结构性机会 ，因此可用于缓解MLC短缺的空间有限 。
”

当然按照常规
，终端市场终究会逐渐采用新一代技术和产品，因此转向更高工艺制程的TLC产品正成为趋势
。

杨伊婷对记者表示 ，除铠侠继续供应车规级eMMC至2028年以外，国内存储厂商MLC也在通过自行设计及流片尝试填补部分供应缺口
，同时汽车将加速64GB TLC eMMC/UFS的验证使用。

“下游MLC NAND应用确实将逐步向TLC迁移 。”Jeongku Choi对记者指出，与仍在汽车等长生命周期基础设施中保持重要性的传统DRAM不同 ，MLC NAND在性能上已被SLC超越
，在成本效率上又被TLC和QLC取代，其竞争优势正在被双向压缩
。

“下游市场已开始向TLC和QLC迁移以降低成本 ，而随着上游MLC供应持续收紧
，这一替代趋势预计将进一步加速。 ”但他也提到，由此带来的BOM成本上升 ，将压缩下游厂商利润
，其中以服务网络设备厂商及大型OEM的工业与嵌入式供应商受影响最为明显 。

集邦咨询也提到，长期来看 ，MLC NAND的主要终端市场成长幅度有限
，且若部分应用加速导入强化版TLC解决方案，或整体NAND Flash市场景气明显反转 ，MLC产品价格仍可能间接承压
。

从“大宗商品
”到“利基奢侈品”，MLC NAND的命运变迁是AI时代存储产业资源再分配的一个缩影。上游原厂在资本支出和洁净室空间有限的前提下
，毅然将产能向HBM、高层数3D NAND等更高利润产品倾斜，而曾经支撑汽车
、工控、医疗等实体产业稳定运行的成熟存储产品 ，则因单位产值低而被加速淘汰 。

这一趋势短期内难以逆转
，下游终端市场不得不加速技术替代和供应链重构
。

对于国内存储厂商而言，能否在海外巨头退出的间隙中 ，以稳定的供货能力和可靠的产品质量赢得客户信任
，并在专利壁垒之下找到自主创新的突破口，将决定中国存储产业在这场全球格局重塑中能否真正站稳脚跟。

（作者：骆轶琪 编辑：包芳鸣）